OTSUKA大塚電子廣州代理,OTSUKA廣州代理,.,OTSUKA大塚電子廣州代理 光譜干擾晶圓 厚度計 SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計SF-3日本OTSUKA大塚電子光譜干擾晶圓厚度計SF-3日本OTSUKA大塚電子 製品情報 特 長
光學式により非接觸?非破壊での厚み測定が可能 スペクトル解析後による條件出し 高速でリアルタイムに研磨モニタが可能 保護フィルム、窓材など中間層越しの計測が可能 多層厚み解析 獨自解析エンジンを搭載(特許出願中) 厚み測定に最適な獨自の解析アルゴリズムを採用(特許取得済み) 厚み分布を自動でマッピング可能
測定項目
膜厚解析(5層)
用 途
Si部材の厚み評価 シリコン、化合物半導體の研削評価用 1.3mm 次世代450mmウェーハ 775µm 300mmウェハ TSVウェーハ(ビア上Si膜やSi層膜測定) シリコンウェーハ以外の素材にも幅広く対応(SiO2、樹脂膜) 仕 様
型式 SF-3 厚み測定範囲 0.1µm~10µm、15µm~1000µm、10µm~775µm * 、50µm~1600µm* 繰り返し精度 0.01%以下 測定時間 最速200µs(5kHz) 測定用光源 半導體光源 測定徑 最小φ6µm WD 10mm以上の任意の距離による 寸法 123(W)×224(D)×128(H)mm(突起物を除く) * ただし表面狀態による
12インチウェーハ以下高速マッピング可能なコンパクトマッピング仕様
高速Rθステージ SF-3Rθ
特 長
Rθ可動軸による高速マッピング仕様 コンパクト設計マッピングステージ 半導體プロセス裝置への組込み可能(組込みマッピング仕様) オリフラ、ノッチの畫像認識機能 分光干渉法により非接觸?非破壊で高い再現性を実現 貼り合せウェハの薄膜ボンディング、Si厚み、サポート基板のトータル厚み測定 多層厚み測定が可能 オリフラ、ノッチの畫像認識によるウェーハ面內高精度位置決めを実現
仕 様
型式 SF-3Rθ 光學系 光學プローブ 厚み測定範囲 0.5 ~ 1600µm * 可動軸 Rθ 測定徑 φ6、φ9、φ500µm ステージ面サイズ φ300mm 可動軸ストローク R軸:±150mm、θ軸:360° ウェーハサイズ 300mm以下 計測時間 61ポイント/60s以下 最大駆動速度 150mm/s ステージ分解能 10µm以下 繰り返し位置決め精度 50µm以下 その他機能 畫像処理によるオリフラ及びノッチ合わせ機能 吸著 あり 特注 アライメント対応、ローダ対応
* 分光器のタイプに依存
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傳感器
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